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大家知道制作氧气的方法吗?我们应该注意什么呢? 想必很多人不是很了解吧,那么接下来就为大家做一个详细的介绍吧。我们一起来看一下吧,希望可以帮助到大家。
铝合金无缝钢瓶:铝合金无缝气瓶定期检验的周期;盛装惰性气体的气瓶,每5年检验1次;盛装腐蚀性气体的气瓶或在腐蚀性介质环境中使用的气瓶,每2年检验1次,盛装其他气体 的气瓶,每3年检验1次。
氧气无色无味气体,化学性质很不活泼,未形成任何化合物。今天来带大家简单了解一下氧气的特点及用途。
冶金工业 在炼钢过程中吹以氧气,氧便和碳及磷、硫、硅等起氧化反应,这不但降低了钢的含碳量,还有利于清除磷、硫、硅等杂质。而且氧化过程中产生的热量足以维持炼钢过程所需的温度,因此,吹氧不但缩短了冶炼时间,同时提高了钢的质量。
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首先按照摩尔比1:1比例取出浓度大于99.9%,粒度小于500微米的硅粉和碳粉,然后进行两次合成。在初次合成步骤中,将所取硅粉和碳粉混合均匀放入坩埚中,再将坩埚置于中频感应加热炉,并对加热炉的生长室抽真空,除去其中的氧气和氮气,同时将温度升高至1000摄氏度。然后向生长室中充入高纯度的氦气和氢气的混合气体,加热至1500摄氏度,保持反应时间15分钟,而后降至室温,后将反应后的产物中大于1厘米的团聚物碾成小于1毫米的粉末。
在二次合成步骤中,将上述产物粉末混合均匀重新放入坩埚,并将坩埚再次置于中频感应加热炉,抽真空环境,升高温度到1000摄氏度,通入氦气和氢气的混合气体。然后升高温度到1600摄氏度到2000摄氏度,保持反应合成时间2小时到10小时,再降至室温。通过这两步即可以得到粒度小于20微米的适用于半导体碳化硅硅单晶生长的高纯碳化硅粉,采用粉末衍射法(XRD)对初次合成和二次合成产物进行物相分析,得到的XRD如图1所示,通过分析可以发现初次合成粉末有硅和碳的单质剩余,而二次合成则可以使得反应更加完全,得到纯度更高的碳化硅。
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不同种类的氧气,有着不同的特性。有的是惰性气体,有的是氧气,有的是可燃性气体......面对多种多样的氧气,我们必须学会如何存放,才能保证生产和工作的安全。今天小编就来给大家介绍一下氧气如果存放。
根据GB15603-1995《常用化学危险品贮存通则》,气体的存放分为以下三类。
隔离贮存:在同一房间或同一区域内,不同的物料之间分开一定距离,非禁忌物料间用通道保持空间的贮存方式。隔开贮存:在同一建筑或同一区域内,用隔、或墙,将其与禁忌物料分离开的贮存方式。
分离贮存:在不同的建筑物或远离所有建筑的外部区域内的贮存方式。除了以上规定的内容,我们也建议在气瓶储存时要保持通风,避免阳光直射,保持室温在40℃以下。同时,气瓶务必佩戴瓶帽,以防倾倒时发生危险。
以上的就是关于高纯气体的内容,如果还有什么不懂的可以随时咨询小编,如果后期想要了解更多关于高纯气体的内容可以关注我们的公司,那里会有的团队为大家解答,【郑州瑞安气体科技有限公司】
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